南亚科技股份有限公司杨仓博获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110916185.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体结构是由杨仓博;饶瑞修设计研发完成，并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提出一种具有一测试结构的半导体结构。该半导体结构包括一半导体基底、一存储器元件以及一测试结构。该存储器元件经设置在该半导体基底上，且具有一元件区域以及一边缘区域。该边缘区域包围该元件区域。该测试结构经设置在该半导体基底上，且包括一虚设区域、一测试边缘区域以及多个单元胞。该测试边缘区域包围该虚拟区域。该多个单元胞，其具有配置在该虚设区域中的一第一组单元胞，以及配置在该测试边缘区域的一第二组单元胞；该第二组单元胞包括该多个单元胞中最外面的单元胞。该边缘区域在一俯视图中包围的一边缘区域形状与该测试边缘区域在该俯视图中所围的一测试边缘区域形状不同。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一半导体基底； 一存储器元件，设置在该半导体基底上，且包括： 一元件区域；以及 一边缘区域，邻近该元件区域设置；以及 一测试结构，设置在该半导体基底上，且包括： 一虚设区域； 一测试边缘区域，邻近该虚设区域设置；以及 多个单元胞，其具有配置在该虚设区域中的一第一组单元胞，及配置在该测试边缘区域的一第二组单元胞； 其中该第二组单元胞包括该多个单元胞中最外面的单元胞， 且该边缘区域在一俯视图中包围的一边缘区域形状与该测试边缘区域在一俯视图中包围的一测试边缘区域形状不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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