派赛公司西蒙·爱德华·威拉德获国家专利权
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龙图腾网获悉派赛公司申请的专利分布式FET反向偏置网络获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114026788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080043022.X，技术领域涉及：H03K17/06；该发明授权分布式FET反向偏置网络是由西蒙·爱德华·威拉德设计研发完成，并于2020-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本分布式FET反向偏置网络在说明书摘要公布了：包括RF开关的电子电路和方法，所述RF开关包括具有分布式反向偏置网络结构的多个串联耦接堆叠的集成电路ICSOIMOSFET，所述分布式反向偏置网络结构具有通过电阻阶梯耦接至偏置电压源的衬底接触件的组。分布式反向偏置网络结构将公共IC衬底电压设置在固定的DC偏置，但是相对于RF电压电阻性地将MOSFET的组断开耦接，使得保持MOSFET堆叠的分压特性。分布式反向偏置网络结构增加了每个MOSFET的电压处理能力，并且提高了特定MOSFET作为开关器件起作用的最大RF电压，同时减轻了损耗、泄漏、串扰和失真。根据本发明的RF开关作为天线开关特别有用。
本发明授权分布式FET反向偏置网络在权利要求书中公布了：1.一种反向偏置网络，其被配置成耦接至串联耦接的MOSFET的堆叠，所述串联耦接的MOSFET的堆叠被制造为绝缘体上硅衬底上的集成电路，所述反向偏置网络包括： a多于一个的衬底接触件的多个组，其被定位成在所述衬底的靠近所述串联耦接的MOSFET的堆叠中的相应MOSFET的多个区域上施加反向偏置电压，每个衬底接触件包括通过所述集成电路的有源层和掩埋氧化物层到所述衬底或靠近所述衬底而形成的导电结构；以及 b包括多个电阻器的电阻阶梯，每个电阻器耦接在多于一个的衬底接触件的相应组之间，所述电阻阶梯被配置成耦接至偏置电压源。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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