浏阳泰科天润半导体技术有限公司何佳获国家专利权
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龙图腾网获悉浏阳泰科天润半导体技术有限公司申请的专利一种基于Ga2O3耐压耐电流SiC PIN二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111170359.X，技术领域涉及：H10D8/50；该发明授权一种基于Ga2O3耐压耐电流SiC PIN二极管是由何佳;陈彤;周海设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Ga2O3耐压耐电流SiC PIN二极管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于Ga2O3耐压耐电流SiCPIN二极管，包括：N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面；N型重掺杂Ga2O3耐压提高层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面；N型本征层的下侧面连接至N型重掺杂Ga2O3耐压提高层的上侧面；P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至N型本征层的上侧面；P型欧姆电极的下侧面连接至P型重掺杂半导体传输层的上侧面，提高SiCPIN二极管的耐压耐电流能力。
本发明授权一种基于Ga2O3耐压耐电流SiC PIN二极管在权利要求书中公布了：1.一种基于Ga2O3耐压耐电流SiCPIN二极管，其特征在于：包括： 一N型欧姆电极； 一N型重掺杂半导体传输层，所述N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至所述N型欧姆电极的上侧面； 一N型重掺杂Ga2O3耐压提高层，所述N型重掺杂Ga2O3耐压提高层的下侧面连接至所述N型重掺杂半导体传输层的上侧面； 一N型本征层，所述N型本征层的下侧面连接至所述N型重掺杂Ga2O3耐压提高层的上侧面； 一P型重掺杂半导体传输层，所述P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至所述N型本征层的上侧面； 以及，一P型欧姆电极，所述P型欧姆电极的下侧面连接至所述P型重掺杂半导体传输层的上侧面； 所述N型重掺杂Ga2O3耐压提高层的厚度为1.4至3微米； 所述N型重掺杂Ga2O3耐压提高层的掺杂浓度为3*1017cm-3。
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