西部数据技术公司李靓获国家专利权
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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利3D NAND中出于数据安全目的的即时且永久的自毁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010692333.0，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权3D NAND中出于数据安全目的的即时且永久的自毁方法是由李靓;王伟豪;刘晓华;D.J.里德设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D NAND中出于数据安全目的的即时且永久的自毁方法在说明书摘要公布了：3DNAND中出于数据安全目的的即时且永久的自毁方法。描述了执行不可逆地防止存取存储器单元的集合的操作的设备和技术。该操作为NAND串的选择栅极晶体管提供强擦除偏压。擦除偏压引发了在选择栅极晶体管中永久增大它们的阈值电压的现象。这防止存取存储器单元，诸如编程或读取操作。该操作可以涉及一个或多个擦除‑验证迭代。在每个擦除‑验证迭代中，诸如通过充电NAND串的沟道且将选择栅极晶体管的控制栅极电压控制在较低电平，来向选择栅极晶体管施加擦除偏压，从而造成相对较高的沟道到控制栅极电压。
本发明授权3D NAND中出于数据安全目的的即时且永久的自毁方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括： 控制电路，配置为连接到多个存储器单元，所述多个存储器单元布置在NAND串中，每个NAND串包括第一端和第二端以及在所述NAND串的第一端处的选择栅极晶体管，并且所述控制电路配置为： 执行防止存取所述多个存储器单元的操作，其中为了执行所述操作，所述控制电路配置为，向在所述NAND串的第一端处的选择栅极晶体管施加强擦除偏压，并响应于所述强擦除偏压，确定所述NAND串的第一端处的选择栅极晶体管的阈值电压是否增大到高于验证电压， 其中所述验证电压大于所述多个存储器单元的最高编程阈值电压。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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