日月光半导体制造股份有限公司凃顺财获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110846466.3，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构及其制造方法是由凃顺财设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体结构及其制造方法，通过在不同尺寸衬垫上设置相同尺寸的键合衬垫后再进行CMPChemicalMechanicalPolishing，化学机械研磨制程，键合衬垫的尺寸可以小于不同尺寸衬垫中较大衬垫的尺寸，即可以有效控制CMP制程中键合界面凹陷的深度程度，以尽量避免出现电性失效现象。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 第一半导体结构，包括至少一个第一衬垫； 第二半导体结构，所述第一半导体结构设于所述第二半导体结构上，所述第二半导体结构包括至少一个第二衬垫和至少一个尺寸相同的键合衬垫，所述键合衬垫设于所述第一衬垫和所述第二衬垫之间，所述键合衬垫与所述第二衬垫电连接，所述键合衬垫键合至所述第一衬垫，所述第二衬垫包括第一尺寸衬垫和第二尺寸衬垫，所述第一尺寸小于所述第二尺寸，其中，所述键合衬垫的尺寸大于所述第一尺寸，所述键合衬垫的尺寸小于所述第二尺寸，所述键合衬垫与所述第一衬垫之间设有一空间，所述空间的宽度小于所述键合衬垫的宽度，所述键合衬垫的侧表面和底面设有第一种子层； 所述第二半导体结构还包括： 键合介电层，所述键合介电层的上表面与所述键合衬垫的上表面共面。
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