台湾积体电路制造股份有限公司何宜臻获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011329011.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体装置及其制造方法是由何宜臻;胡宏志;洪丞祐;谢忠儒设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置及其制造方法，包括鳍式场效晶体管的半导体装置包括：第一栅极结构其在第一方向上延伸；第二栅极结构其在第一方向上延伸并且在第一方向上与第一栅极结构对准；第三栅极结构其在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上与第一栅极结构平行地排列；第四栅极结构其在第一方向上延伸且与第三栅极结构对准并且与第二栅极结构平行排列；层间介电层其设置在介于第一至第四栅极结构之间；以及分隔壁其由不同于层间介电层的材料制成并且设置在介于第一和第二栅极结构与第三和第四栅结构之间。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种包括鳍式场效晶体管的半导体装置，其特征在于，包含： 一第一栅极结构其沿一第一方向延伸； 一第二栅极结构其在该第一方向上延伸并在该第一方向上与该第一栅极结构对准； 一第三栅极结构其在该第一方向上延伸，并在与该第一方向交叉的一第二方向上与该第一栅极结构平行排列； 一第四栅极结构其在该第一方向上延伸，与该第三栅极结构对准并且与该第二栅极结构平行排列； 一层间介电层其设置在介于该第一至该第四栅极结构之间；以及 一分隔壁，其由与该层间介电层不同的材料制成，并设置在介于该第一和该第二栅极结构以及该第三和该第四栅极结构之间； 其中： 该第一至该第四栅极结构中的各者包含多个侧壁间隔物， 该第一栅极结构的该些侧壁间隔物与该第二栅极结构的该些侧壁间隔物经由该分隔壁分隔并且是不连续的， 该分隔壁包含一核心部分和多个侧层其设置在该核心部分在该第一方向延伸的多个第一侧面上， 形成该分隔壁的一核心部分的一材料不同于形成该些侧层的一材料；并且 该些侧层与该层间介电层接触。
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