台湾积体电路制造股份有限公司陈思妤获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光蚀刻系统及光蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113267962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110176336.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光蚀刻系统及光蚀刻方法是由陈思妤;陈鑫封;杨基;陈立锐设计研发完成，并于2021-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本光蚀刻系统及光蚀刻方法在说明书摘要公布了：一种光蚀刻系统，用于控制极紫外光微影光源中的电浆位置，此系统可包括真空腔室；液滴产生器，用以将液滴流分配至真空腔室中，其中液滴是由金属材料形成；激光光源，用以将包括至少第一脉冲及第二脉冲的多个激光脉冲发射至真空腔室中；感测器，用以侦测腔室内的已观察到的电浆位置，其中已观察到的电浆位置包括多个激光脉冲将液滴流的液滴汽化以产生发出极紫外光辐射的电浆的位置；及第一反馈回路，将感测器连接至激光光源，其中第一反馈回路调整第一及第二脉冲之间的时间延迟以最小化已观察到的电浆位置与目标电浆位置之间的差。
本发明授权光蚀刻系统及光蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种极紫外光光源，其特征在于，包括： 一真空腔室； 一液滴产生器，用以将一液滴流分配至该真空腔室中，其中该液滴流是由一金属材料形成； 一激光光源，用以将包括至少一预脉冲及一主脉冲的多个激光脉冲发射至该真空腔室中； 一感测器，用以侦测该真空腔室内的一已观察到的电浆位置，其中该感测器用以在该预脉冲撞击该液滴流的一液滴时且在该主脉冲撞击该液滴之前撷取来自于该预脉冲撞击该液滴流的该液滴的一返回光束的一第一影像，该感测器用以撷取来自该主脉冲撞击该液滴的一返回光束的一第二影像，该感测器用以根据第二影像确定该已观察到的电浆位置，其中所述多个激光脉冲将该液滴流的该液滴汽化以产生发出极紫外光辐射的一电浆，其中当该预脉冲激光撞击该液滴时，该液滴的一形状自球形转变为一扁圆薄片的一形状；以及 一第一反馈回路，将该感测器连接至该激光光源，其中该第一反馈回路至少根据该第二影像调整该预脉冲与该主脉冲之间的一时间延迟来调整已观察到的电浆位置，以最小化该已观察到的电浆位置与一目标电浆位置之间的一差异。
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