买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉珠海迈巨微电子有限责任公司申请的专利场效应晶体管电路、方法、装置、芯片及电池管理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112751558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110170499.0，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权场效应晶体管电路、方法、装置、芯片及电池管理系统是由周号设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本场效应晶体管电路、方法、装置、芯片及电池管理系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种场效应晶体管电路，包括：场效应晶体管，所述场效应晶体管包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和第二寄生二极管，其中所述第一寄生二极管和第二寄生二极管反向串联，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路的一端连接所述源极，并且所述串联电路的另一端连接所述漏极，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点与所述衬底连接；以及开关，所述开关的一端与所述连接点连接，所述开关的另一端与所述源极连接。本公开还提供了一种场效应晶体管的控制方法、充放电控制装置、芯片、电池管理系统、及电设备。

本发明授权场效应晶体管电路、方法、装置、芯片及电池管理系统在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管电路，其特征在于，包括： 场效应晶体管，所述场效应晶体管包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和第二寄生二极管，其中所述第一寄生二极管和第二寄生二极管反向串联，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路的一端连接所述源极，并且所述串联电路的另一端连接所述漏极，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点与所述衬底连接；以及 第一开关，所述第一开关的一端与所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点连接，所述第一开关的另一端与所述场效应晶体管的源极连接， 所述第一开关设置为：所述场效应晶体管导通时，所述第一开关导通从而所述源极与所述衬底连通，所述场效应晶体管的导电沟道形成，所述场效应晶体管断开时，所述第一开关断开从而所述源极与所述衬底断开，所述场效应晶体管的导电沟道不形成并且所述衬底处于浮空状态； 所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关， 所述第二开关设置为：当所述场效应晶体管断开时，所述第二开关确保所述场效应晶体管的栅极氧化层不会被击穿和或所述场效应晶体管不形成导电沟道； 所述第二开关为耐压二极管，当所述场效应晶体管为NMOS晶体管时，所述耐压二极管的阳极与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述耐压二极管的阴极与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接；或者当所述场效应晶体管为PMOS晶体管时，所述耐压二极管的阴极与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述耐压二极管的阳极与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接；在间接连接的情况下，第二开关与电阻R形成串联电路，串联电路的一端连接场效应晶体管的栅极，另一端连接场效应晶体管的漏极； 或者，当所述场效应晶体管为NMOS晶体管时，所述第二开关为第二NMOS晶体管开关，所述第二NMOS晶体管开关具有第三寄生二极管，所述第二NMOS晶体管的源极与第三寄生二极管的一端、与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述第二NMOS晶体管的漏极与第三寄生二极管的另一端、与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接，在间接连接的情况下，第二NMOS晶体管开关与电阻R形成串联电路，串联电路的一端连接场效应晶体管的栅极，另一端连接场效应晶体管的漏极； 或者，当所述场效应晶体管为PMOS晶体管时，所述第二开关为第二PMOS晶体管开关，所述第二PMOS晶体管开关具有第三寄生二极管，所述第二PMOS晶体管开关的源极和第三寄生二极管的一端、与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述第二PMOS晶体管的漏极和第三寄生二极管的另一端、与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接，在间接连接的情况下，第二PMOS晶体管开关与电阻R形成串联电路，串联电路的一端连接场效应晶体管的栅极，另一端连接场效应晶体管的漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海迈巨微电子有限责任公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。