三星电子株式会社李明俊获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利基于椭偏成像的检查方法以及制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010353965.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权基于椭偏成像的检查方法以及制造半导体器件的方法是由李明俊;金郁来;郑在晃;安明基设计研发完成，并于2020-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于椭偏成像的检查方法以及制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提供了一种基于椭偏成像IE的检查方法以及制造半导体器件的方法。所述检查方法包括：从基于IE的检查装置的具有第一视场FOV的第一模式和具有第二FOV的第二模式中选择一种模式；基于所选择的模式通过所述基于IE的检查装置测量检查目标；以及基于测量结果确定所述检查目标是否正常，其中，所述的测量检查目标包括同时测量在所述检查目标的区域中设置的多个单元中包括的图案，所述区域对应于所选择的模式的FOV。
本发明授权基于椭偏成像的检查方法以及制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于椭偏成像的检查方法，包括： 从基于椭偏成像的检查装置的具有第一视场的第一模式和具有第二视场的第二模式中选择一种模式；以及 在所选择的模式下通过所述基于椭偏成像的检查装置测量检查目标， 其中，所述的测量检查目标包括同时测量在所述检查目标的区域中设置的多个单元中包括的图案，所述区域对应于所选择的模式的视场， 其中，所述检查目标是半导体芯片， 其中，所述第一模式是由垂直光学系统实现的高分辨率模式， 其中，所述第二模式是由倾斜光学系统实现的大面积模式，所述倾斜光学系统包括相对于设置有所述半导体芯片的平台倾斜的第二探测器，并且 其中，所述第二探测器被配置为在所述第二模式下通过执行一次成像来获得所述半导体芯片的全部区域的二维图像。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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