扬州乾照光电有限公司;江西乾照半导体科技有限公司辛天姣获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司;江西乾照半导体科技有限公司申请的专利一种LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223584643U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423193379.0，技术领域涉及：H10H20/814；该实用新型一种LED芯片是由辛天姣;彭贤春;陈睿民;晏雨发;吴代琼;徐晶;朱万祥;马英杰;赵鹏设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种LED芯片，通过将DBR反射镜设置在第二型半导体层与过渡层之间，且所述DBR反射镜具有多个开口以裸露所述外延叠层的部分第二表面，如此即可获得到图形化的DBR反射镜，从而将射向所述第二型半导体层的光通过DBR反射镜进行反射后从第一型半导体层一侧出射，藉以获得反极性结构；同时，通过所述开口和过渡层的设置，在确保所述DBR反射镜到所述电流扩展层的晶格和或带隙的过渡的同时，所述第二型半导体层与电流扩展层的接触不受阻碍，进而可较好地实现电流扩散，从而保证LED的电性要求。也即，本申请通过在外延端实现上述有益效果，进而可使LED芯片在保证LED的电性要求的同时，具有较高的出光效率。尤其适用高功率LED和小尺寸如Mini、MicroLED。
本实用新型一种LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括： 外延叠层，所述外延叠层包含第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，且具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第一表面为出光面； DBR反射镜，其设置于所述外延叠层的第二表面侧，且具有多个开口以裸露所述外延叠层的部分第二表面； 过渡层，其设置于所述DBR反射镜的表面和所述第二表面的裸露区； 电流扩展层，其设置于所述过渡层的表面，且所述过渡层用于实现所述DBR反射镜到所述电流扩展层的晶格和或带隙的过渡； 基板，其通过导电键合层嵌入各所述开口的方式与所述外延叠层形成一体。
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