思特威(上海)电子科技股份有限公司廖冠凯获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利图像传感器及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223584629U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520293349.2，技术领域涉及：H10F39/12；该实用新型图像传感器及电子设备是由廖冠凯;孙赛设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种图像传感器及电子设备，该图像传感器的像素阵列中，每一像素单元包括感光掺杂区，其中，图像传感器还包括与感光掺杂区同步形成的掺杂调节区，掺杂调节区设置于像素阵列的外围，像素阵列的边缘与像素阵列区域的边缘之间具有过渡区域，掺杂调节区设置于过渡区域中和或保护环区域中。本实用新型通过增设掺杂调节区，提高了像素阵列附近的图形密度，使得在图像传感器的制作过程中，用于限定感光掺杂区的离子注入区域的光刻胶图形形貌能够更为均匀，从而减少因图形密度产生的离子注入工艺不稳定性，最终使得位于像素阵列中间区域的像素单元与位于像素阵列边缘区域的像素单元具有更为一致的光电转换性能。
本实用新型图像传感器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括像素阵列区域以及设置于所述像素阵列区域外围的保护环区域和外围电路区域，所述像素阵列区域中设有像素阵列，所述像素阵列包括呈阵列排布的多个像素单元，每一所述像素单元包括感光掺杂区，其特征在于，所述图像传感器还包括： 与所述感光掺杂区同步形成的掺杂调节区，设置于所述像素阵列的外围； 其中，所述像素阵列的边缘与所述像素阵列区域的边缘之间具有过渡区域，所述掺杂调节区设置于所述过渡区域中和或所述保护环区域中。
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