珠海镓未来科技有限公司张铭宏获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海镓未来科技有限公司申请的专利一种氮化镓半导体功率器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223584623U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422735925.2，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型一种氮化镓半导体功率器件是由张铭宏;郭超凡;王中党;高吴昊设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓半导体功率器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种氮化镓半导体功率器件，其中所述功率器件包括依次层叠设置的氮化镓衬底、钝化层、介质叠层及层间介电层，所述介质叠层包括从上至下层叠设置的第一介质层、第一刻蚀阻挡层、第二介质层、第二刻蚀阻挡层及第三介质层，在所述第一介质层与层间介电层之间设有第一栅极场板，在所述第二介质层和层间介电层之间设有第二栅极场板，在所述钝化层与层间介电层之间设有栅极，在所述第三介质层与钝化层之间设有与所述栅极相互隔离的欧姆金属层，在所述层间介电层及第三介质层内设有与所述欧姆金属层电连接的源极。
本实用新型一种氮化镓半导体功率器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓半导体功率器件，其特征在于，所述功率器件包括依次层叠设置的氮化镓衬底、钝化层、介质叠层及层间介电层，所述介质叠层包括从上至下层叠设置的第一介质层、第一刻蚀阻挡层、第二介质层、第二刻蚀阻挡层及第三介质层，在所述第一介质层与层间介电层之间设有第一栅极场板，在所述第二介质层和层间介电层之间设有第二栅极场板，在所述钝化层与层间介电层之间设有栅极，在所述第三介质层与钝化层之间设有与所述栅极相互隔离的欧姆金属层，在所述层间介电层及第三介质层内设有与所述欧姆金属层电连接的源极。
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