扬州扬杰电子科技股份有限公司王坤获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利具有高续流能力的SIC MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223584622U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423106302.5，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型具有高续流能力的SIC MOSFET器件是由王坤;杨程;王正;万胜堂;马驰远;朱秀梅;王毅设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高续流能力的SIC MOSFET器件在说明书摘要公布了：具有高续流能力的SICMOSFET器件，涉及半导体技术领域。在SiCMOSFET芯片内部设置了SBD结构与自带的体二极管并联，内嵌的SBD二极管利用沟槽形成U型N+区增加了垂直方向上N+区与肖特基金属接触的面积，降低了内嵌的SBD二极管导通压降，大大提升了SiCMOSFET器件的续流能力，减小了功率损耗。在阻断状态下，深注入的PP区有利于屏蔽内嵌的SBD区域和栅沟槽底部的高电场，可提高器件的可靠性。
本实用新型具有高续流能力的SIC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.具有高续流能力的SICMOSFET器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的漏极金属层16、N+衬底层1、N型缓冲层2、N-漂移层3、源极欧姆接触合金层13、肖特基金属14和源极金属层15； 所述N-漂移层3上设有： P-well区4，从所述N-漂移层3顶面向下延伸； NP区5，设有若干，分别从所述P-well区4的顶面向下延伸； PP区6，设有若干，分别从所述P-well区4的顶面向下延伸，并位于所述NP区5的侧部； N+区9，截面呈U形结构，从所述NP区5的顶面向下延伸，并位于中部一对所述PP区6之间； 栅氧化层10，设有若干，其截面呈U形结构，分别从所述NP区5的顶面向下延伸P-well区4的下方； Poly层11，设置在所述栅氧化层10内； 所述NP区5的顶面设有若干分别与栅氧化层10和Poly层11连接的介质层12。
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