深圳市智微智能科技股份有限公司李炳松获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市智微智能科技股份有限公司申请的专利一种增加MOS管切换系统供电时的带载能力的电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223584157U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520259792.8，技术领域涉及：H03K17/06；该实用新型一种增加MOS管切换系统供电时的带载能力的电路是由李炳松设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增加MOS管切换系统供电时的带载能力的电路在说明书摘要公布了：本实用新型涉及自一种增加MOS管切换系统供电时的带载能力的电路，包包括电源SA、PMOS管PQ1、电阻R1、电阻R2、二极管D1和控制PMOS管PQ1关断的开关电路；PMOS管PQ1的源极和漏极分别与电压相同的两电源SA连接，栅极与电阻R1连接；电阻R1远离PMOS管PQ1的一端与开关电路连接；电阻R1与二极管D1并联，二极管D1的输入端与电阻R2连接，电阻R2远离二极管D1的一端与电源SA连接；二极管D1的输出端与PMOS管PQ1的栅极连接；本实用新型提供的电路电路结构简单，并且有效避免MOS管快速关断时电流易超出MOS管的安全工作区的问题，有利于降低电路的成体功耗和成本，具有较好的实用性。
本实用新型一种增加MOS管切换系统供电时的带载能力的电路在权利要求书中公布了：1.一种增加MOS管切换系统供电时的带载能力的电路，其特征在于，包括电源SA、PMOS管PQ1、电阻R1、电阻R2、二极管D1和控制所述PMOS管PQ1关断的开关电路；所述PMOS管PQ1的源极和漏极分别与电压相同的两电源SA连接，栅极与所述电阻R1连接；所述电阻R1远离所述PMOS管PQ1的一端与所述开关电路连接；所述电阻R1与所述二极管D1并联，所述二极管D1的输入端与所述电阻R2连接，所述电阻R2远离所述二极管D1的一端与所述电源SA连接；所述二极管D1的输出端与所述PMOS管PQ1的栅极连接。
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