台湾积体电路制造股份有限公司林家慧获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223582989U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422864699.8，技术领域涉及：H01L23/538；该实用新型半导体结构是由林家慧;陈承;尤志豪;王伟民;崔壬汾;余振华设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种半导体结构，包括衬底、设置在衬底之上的接合结构及填充层。衬底包括光学有源区和在光学有源区中的光学表面。接合结构包括接合介电层及在接合介电层中并布置在接合结构的禁止区之外的导电特征，其中在第一视图中，禁止区位于光学有源区内且导电特征的第一特征设置在光学有源区与禁止区之间。填充层插设在接合结构和衬底的光学有源区之间。在第二视图中，第一特征通过接合介电层而与填充层分隔开来。半导体结构设有禁止区，光学表面被包含在禁止区内以确保在传输辐射时不会被遮挡。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括光学有源区和在所述光学有源区中的光学表面； 接合结构，设置在所述衬底之上，所述接合结构包括接合介电层和在所述接合介电层中并布置在所述接合结构的禁止区之外的导电特征，其中在第一视图中，所述禁止区位于所述光学有源区内，并且所述导电特征的第一特征设置在所述光学有源区与所述禁止区之间；以及 填充层，插设在所述接合结构和所述衬底的所述光学有源区之间，其中在第二视图中，所述第一特征通过所述接合介电层而与所述填充层分隔开来。
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