上海微世半导体有限公司丁波获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微世半导体有限公司申请的专利一种硅片进出炉结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223580640U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423208070.4，技术领域涉及：F27D3/00；该实用新型一种硅片进出炉结构是由丁波;王超;陈瀚;侯金松;杭海燕;谷卫东;智朋;张伟设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅片进出炉结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种硅片进出炉结构，包括用于沿移动轨道移动以将硅片水平送入或者送出扩散炉的陶瓷传送桨和用于向位于所述陶瓷传送桨上的硅片吹扫氮气的氮气新风机构，所述氮气新风机构设于所述陶瓷传送桨的移动路径的至少一侧，且其吹扫范围覆盖整个所述移动路径，所述移动轨道上设有陶瓷镀膜层。本实用新型在陶瓷传送桨的移动路径的侧面设置了氮气新风机构，氮气新风机构可以向位于陶瓷传送桨上的硅片吹扫氮气，从而保证硅片在水平移动和转移过程中都不会被微粒子污染，同时，在陶瓷传送桨的移动轨道上设有陶瓷镀膜层，减少了与陶瓷传送桨的摩擦力，从而降低硅片发生隐裂破片的可能。
本实用新型一种硅片进出炉结构在权利要求书中公布了：1.一种硅片进出炉结构，包括用于沿移动轨道移动以将硅片水平送入或者送出扩散炉的陶瓷传送桨，其特征在于，还包括用于向位于所述陶瓷传送桨上的硅片吹扫氮气的氮气新风机构，所述氮气新风机构设于所述陶瓷传送桨的移动路径的至少一侧，且其吹扫范围覆盖整个所述移动路径，所述移动轨道上设有陶瓷镀膜层。
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