湖南三安半导体有限责任公司王聪勇获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223567989U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422264445.2，技术领域涉及：H10D62/832；该实用新型一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件是由王聪勇;杜伟华;高玉强;李毕庆;江协龙设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件在说明书摘要公布了：本实用新型实施例涉及一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件，其中所述碳化硅外延片包括：碳化硅衬底；氮硼共掺碳化硅阻挡层，设置在所述碳化硅衬底的第一表面上；掺氮碳化硅外延漂移层，设置在所述氮硼共掺碳化硅阻挡层的背离所述碳化硅衬底的一侧。本实施例通过在碳化硅衬底上生长有一层氮硼共掺碳化硅阻挡层，能有效降低碳化硅外延漂移层中基平面位错和堆垛层错的缺陷密度。一方面，氮硼共掺碳化硅阻挡层能有效地调节与碳化硅衬底之间的晶格失配应力来降低缺陷密度；另一方面，氮硼共掺阻挡层能填满衬底表面由氢气刻蚀形成的腐蚀坑，进而阻碍基平面位错和堆垛层错向碳化硅外延漂移层的传播。因此，通过该碳化硅外延片制备得到的器件可靠性提高。
本实用新型一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延片1，其特征在于，包括： 碳化硅衬底10； 氮硼共掺碳化硅阻挡层20，设置在所述碳化硅衬底10的第一表面上； 掺氮碳化硅外延漂移层40，设置在所述氮硼共掺碳化硅阻挡层20的背离所述碳化硅衬底10的一侧。
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