中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学王洪获国家专利权
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龙图腾网获悉中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学申请的专利一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223567987U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322881767.7，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构是由王洪;聂祚荣;王楷;马啸设计研发完成，并于2023-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构。所述外延结构包括自下向上依次层叠的晶向为111的Si衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、Fe掺杂GaN层、GaN缓冲层、AlGaN梯度背势垒层、GaN沟道层、AlN势垒层和GaN帽层。本实用新型通过AlGaN梯度背势垒层，一方面抬高了沟道层下方的势垒高度，降低了缓冲层漏电并有效抑制了器件的电流崩塌；另一方面在保证较高2DEG浓度的同时提高了2DEG的迁移率，抬高了器件的饱和漏极电流。通过使用极低的Ga源流量，生长表面形貌良好的超薄GaN帽层，在保证器件拥有高饱和漏极电流的同时有效抑制了栅极漏电和电流崩塌。
本实用新型一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构在权利要求书中公布了：1.一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构，其特征在于：包括自下向上依次层叠的晶向为111的Si衬底1、AlN成核层2、AlGaN缓冲层3、Fe掺杂GaN层4、GaN缓冲层5、AlGaN梯度背势垒层6、GaN沟道层7、AlN势垒层8和GaN帽层9； 其中，AlGaN梯度背势垒层6包括多层Al组分从下到上等梯度递增的AlxGa1-xN层，每层AlxGa1-xN层的生长时间相同，x为Al组分； GaN帽层9采用三甲基镓生长；Fe掺杂GaN层4为Fe掺杂的GaN层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学，其通讯地址为：528436 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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