台湾积体电路制造股份有限公司萧琮介获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及裸片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223566620U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422795732.6，技术领域涉及：H01L23/48；该实用新型封装结构及裸片结构是由萧琮介;吴于贝设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及裸片结构在说明书摘要公布了：一种封装结构及裸片结构，封装结构包括内连线结构、第一逻辑裸片、模封材料、导电通孔和重分布层。内连线结构附接至封装基底。第一逻辑裸片设置在内连线结构上方。第一逻辑裸片包括位于第一逻辑裸片的上部上的上硅通孔以及位于第一逻辑裸片的下部上的下硅通孔，且下硅通孔电性连接至内连线结构。第一逻辑裸片的上部包括装置层和功率传输层，上硅通孔贯穿装置层且物理连接至功率传输层。模封材料位于内连线结构上方且围绕第一逻辑裸片。导电通孔贯穿模封材料。重分布层位于第一逻辑裸片和模封材料上方。重分布层电性连接至第一逻辑裸片的上硅通孔和导电通孔。
本实用新型封装结构及裸片结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 一内连线结构，附接至一封装基底； 一第一逻辑裸片，设置于该内连线结构上方，其中该第一逻辑裸片包括在该第一逻辑裸片的一上部的一上硅通孔以及在该第一逻辑裸片的一下部的一下硅通孔，且该下硅通孔电性连接至该内连线结构，其中该第一逻辑裸片的该上部包括一装置层和一功率传输层，该上硅通孔贯穿该装置层并物理连接至该功率传输层； 一模封材料，围绕该第一逻辑裸片； 一导电通孔，贯穿该模封材料；以及 一重分布层，位于该第一逻辑裸片和该模封材料上方，其中该重分布层电性连接至该第一逻辑裸片的该上硅通孔和该导电通孔。
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