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龙图腾网获悉英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利一种GaN芯片的封装结构和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223566612U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422903495.0，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型一种GaN芯片的封装结构和电子设备是由陈邦星设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN芯片的封装结构和电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种GaN芯片的封装结构和电子设备，GaN芯片的封装结构包括：GaN芯片、引线框架、第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构；第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构与引线框架连接；GaN芯片包括半导体本体、栅极、源极和漏极，半导体本体设置有第一导电柱；栅极、源极和漏极中的一个连接至第一导电结构，栅极、源极和漏极中的另两个分别连接至第二导电结构和第三导电结构；或者，栅极、源极和漏极中的两个分别连接至第一导电结构和第二导电结构，栅极、源极和漏极中的另一个连接至第三导电结构。本实用新型的GaN芯片的封装结构的散热路径短，从而大大减小了GaN芯片的封装结构的寄生热阻。

本实用新型一种GaN芯片的封装结构和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种GaN芯片的封装结构，其特征在于，包括：GaN芯片、引线框架、第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构；所述第一导电结构、所述第二导电结构和所述第三导电结构与所述引线框架连接； 所述GaN芯片包括半导体本体、栅极、源极和漏极，所述栅极、所述源极和所述漏极位于所述半导体本体的第一表面；所述半导体本体设置有第一导电柱； 所述第一导电结构位于所述半导体本体的第二表面，所述第二导电结构和所述第三导电结构间隔位于所述漏极远离所述半导体本体的一侧；所述栅极、所述源极和所述漏极中的一个通过所述第一导电柱连接至所述第一导电结构，所述栅极、所述源极和所述漏极中的另两个分别连接至所述第二导电结构和所述第三导电结构； 或者，所述第一导电结构和所述第二导电结构间隔位于所述半导体本体的第二表面，所述第三导电结构位于所述漏极远离所述半导体本体的一侧；所述栅极、所述源极和所述漏极中的两个通过所述第一导电柱分别连接至所述第一导电结构和所述第二导电结构，所述栅极、所述源极和所述漏极中的另一个连接至所述第三导电结构。

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