能创半导体股份有限公司陈韦霖获国家专利权
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龙图腾网获悉能创半导体股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223566577U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422986443.4，技术领域涉及：H01L21/48；该实用新型半导体装置是由陈韦霖设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体装置，半导体装置包含导电垫、介电层与导线结构。介电层位于导电垫上方。导线结构贯穿介电层并电性连接至导电垫，且包含第一晶种层、第二晶种层与导线层。第一晶种层在介电层上。第二晶种层在第一晶种层上，其中第二晶种层的顶部的宽度与第一晶种层的宽度实质相同，且第一晶种层与第二晶种层之间具有第一底切。导线层在第二晶种层上。本实用新型的导线结构具有不易剥落的特性，而减少断路问题。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 导电垫； 介电层，位于所述导电垫上方；以及 导线结构，贯穿所述介电层并电性连接至所述导电垫，且包含： 第一晶种层，在所述介电层上； 第二晶种层，在所述第一晶种层上，其中所述第二晶种层的顶部的宽度与所述第一晶种层的宽度实质相同，且所述第一晶种层与所述第二晶种层之间具有第一底切；以及 导线层，在所述第二晶种层上。
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