武汉衷华脑机融合科技发展有限公司黄立获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉衷华脑机融合科技发展有限公司申请的专利一种电极结构、颅内皮层信号采集装置、脑波监测系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223554856U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422810410.4，技术领域涉及：A61B5/293；该实用新型一种电极结构、颅内皮层信号采集装置、脑波监测系统是由黄立;黄晟;何贻宁;刘博文;杨邓飞;童贝;姚娜;倪常茂设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电极结构、颅内皮层信号采集装置、脑波监测系统在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种电极结构、颅内皮层信号采集装置、脑波监测系统，柔性基底的电极点分布段上设有多个均匀间隔分布的镂空槽，电极点分布段上除却镂空槽的部分上设有阵列分布的电极点；柔性基底的导线集成段上设有与电极点对应连接的导线；以上通过设置均匀间隔分布的镂空槽可以使得脑组织的组织液的流动，贴合脑组织，保证有效接触点的数量；电极结构的导线伸入封装外壳内，并与通讯模块连接，实现脑信号检测采集；多通道采集时，设置与导线连接的CMOS芯片，CMOS芯片通过微带线将信号传输到通讯模块，可减少高通道的导线与通讯模块的电路板的连接点，同时可缩小通讯模块尺寸，颅内皮层信号采集装置体积可大幅度缩小，实现高通道的微型化处理。
本实用新型一种电极结构、颅内皮层信号采集装置、脑波监测系统在权利要求书中公布了：1.一种电极结构，其包括柔性基底1，所述柔性基底1包括相连接的电极点分布段100和导线集成段101，其特征在于： 所述电极点分布段100上设有多个均匀间隔分布的镂空槽102，所述电极点分布段100上除却镂空槽102的部分上设有阵列分布的电极点103； 所述导线集成段101上设有与所述电极点103对应连接的导线104。
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