无锡尚积半导体科技股份有限公司俞铭洋获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利等离子体场均匀性调节装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120834051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511319278.X，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权等离子体场均匀性调节装置是由俞铭洋;姜颖;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体场均匀性调节装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种等离子体场均匀性调节装置，包括腔盖、线圈、第一调节件、气嘴和第二调节件，通过第一调节件和第二调节件，在处理小尺寸晶圆或需要增大中心区域等离子体浓度时，线圈能够向心旋转收缩以增大中心场强，气嘴能够靠近工作腔中心以增大中心气体浓度；在处理大尺寸晶圆或需要减小中心区域等离子体浓度时，线圈能够离心旋转扩散以减小中心场强，气嘴能够远离工作腔中心以减小中心气体浓度；通过使得线圈收放或者改变气嘴的径向位置，能够针对性改善等离子体的分布；通过线圈和气嘴的协同调节，还能够实现等离子体分布与反应气体输送的动态匹配，有助于提升工艺均匀性与设备适应性。
本发明授权等离子体场均匀性调节装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体场均匀性调节装置，其特征在于，包括： 腔盖10，用于封闭工作腔，所述工作腔用于容纳晶圆以进行等离子体表面处理； 线圈21，水平螺旋延伸设置，并设于所述腔盖10背离所述工作腔的正面，所述线圈21通电后能够激发射频场，以便所述工作腔内产生等离子体； 第一调节件22，用于驱动所述线圈21旋转，所述线圈21沿向心方向旋转时，其螺旋结构收缩、能够减小覆盖范围并增大中心场强，所述线圈21沿离心方向旋转时，其螺旋结构扩散、能够增大覆盖范围并减小中心场强； 多个气嘴31，多个所述气嘴31沿圆周方向等间隔分布于所述腔盖10面向所述工作腔的背面，用于向所述工作腔内通入反应气体； 第二调节件32，用于驱使所述气嘴31靠近或远离所述工作腔的中心，从而调整反应气体在所述工作腔内的浓度分布。
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