陛通半导体设备(苏州)有限公司汪昌州获国家专利权
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龙图腾网获悉陛通半导体设备(苏州)有限公司申请的专利高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511326015.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构是由汪昌州;宋维聪设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构，在该制造方法中，TSV结构中扩散阻挡层的形成包括：在第一腔体压强下，在绝缘层的表面沉积第一扩散阻挡层，并对第一扩散阻挡层执行冷却工艺；在第二腔体压强下，在第一扩散阻挡层的表面沉积第二扩散阻挡层，并对第二扩散阻挡层执行冷却工艺，第二腔体压强大于第一腔体压强。由此，可以形成粘附性和均匀性较佳的第一扩散阻挡层和台阶覆盖率较佳的第二扩散阻挡层，从而使得扩散阻挡层兼具了较佳的粘附性、均匀性和台阶覆盖率多个性能；同时结合冷却工艺，使得第一扩散阻挡层以及第二扩散阻挡层具有光滑的侧壁表面，便于金属层的形成并由此可以提高金属层的质量。
本发明授权高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比TSV结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供硅衬底，在所述硅衬底中形成一通孔，并在所述硅衬底形成所述通孔的表面以及所述通孔的内壁沉积绝缘层； 在所述绝缘层的表面沉积扩散阻挡层；以及， 在所述通孔中填充金属层，所述金属层位于所述扩散阻挡层上； 其中，在所述绝缘层的表面沉积扩散阻挡层包括： 在第一腔体压强下，在所述绝缘层的表面沉积第一扩散阻挡层，并对所述第一扩散阻挡层执行冷却工艺； 在第二腔体压强下，在所述第一扩散阻挡层的表面沉积第二扩散阻挡层，并对所述第二扩散阻挡层执行冷却工艺，所述第二腔体压强大于所述第一腔体压强。
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