合肥晶合集成电路股份有限公司高伟获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体热处理整合方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511308769.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种半导体热处理整合方法及系统是由高伟;洪繁;谢荣源;康萍设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体热处理整合方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体热处理整合方法及系统，属于半导体制造技术领域，方法包括：抽样获取多个待测样本，待测样本为工艺过程中的晶圆且其上多个测试键；设置晶粒尺寸阈值，检测并获取待测样本的栅极晶粒尺寸，筛除部分栅极晶粒尺寸大于晶粒尺寸阈值的待测样本，获得第一级样本；设置第一收敛度阈值，获取第一级样本的测试键漏电流数据，筛除测试键漏电流数据的收敛度大于第一收敛度阈值的第一级样本，获得第二级样本；设置第二收敛度阈值，获取第二级样本的栅极间漏电流数据，筛除栅极间漏电流数据的收敛度大于第二收敛度阈值的第二级样本，获得第三级样本；对第三级样本进行可靠性验证，根据第三级样本的测试数据，调整晶圆的热处理参数。
本发明授权一种半导体热处理整合方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体热处理整合方法，其特征在于，包括以下步骤： 抽样获取多个待测样本，所述待测样本为工艺过程中的晶圆，其中所述待测样本包括多个测试键； 设置晶粒尺寸阈值，检测并获取所述待测样本的栅极晶粒尺寸，筛除部分所述栅极晶粒尺寸大于所述晶粒尺寸阈值的所述待测样本，获得第一级样本； 设置第一收敛度阈值，获取所述第一级样本的测试键漏电流数据，筛除所述测试键漏电流数据的收敛度大于所述第一收敛度阈值的所述第一级样本，获得第二级样本； 设置第二收敛度阈值，获取所述第二级样本的栅极间漏电流数据，筛除所述栅极间漏电流数据的收敛度大于所述第二收敛度阈值的所述第二级样本，获得第三级样本；以及 对所述第三级样本进行可靠性验证，并根据所述第三级样本的测试数据，调整所述晶圆的热处理参数。
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