罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司陈文娟获国家专利权
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龙图腾网获悉罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司申请的专利一种发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511301705.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法是由陈文娟;李雍;瞿澄设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，在本发明的发光二极管芯片的制备方法中，通过设置第N量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，对所述第N量子阱层进行图案化处理，以形成多个第一凹槽，在多个所述第一凹槽中填充无机散射颗粒，且通过对P型半导体层进行图案化处理，以形成多个第二凹槽，在多个所述第二凹槽中填充有机散射颗粒，第一凹槽和第二凹槽的配合设置，进而分别填充无机散射颗粒和有机散射颗粒，进而量子阱发光层发出的光经过无机散射颗粒和有机散射颗粒的散射作用，可以大大增加发光二极管芯片的出光效率，并有利于扩大发光二极管芯片的出光角度。
本发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述发光二极管芯片的制备方法包括以下步骤： 提供衬底； 在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂半导体层、N型半导体层以及量子阱发光层，其中所述量子阱发光层包括交替设置的N层量子阱层和N-1层量子垒层，其中第一量子阱层接触所述N型半导体层，第N量子阱层覆盖第N-1量子垒层，且所述第N量子阱层的厚度大于所述第一量子阱层的厚度，其中，N为不小于3的整数； 对所述第N量子阱层进行图案化处理，以形成多个第一凹槽； 在多个所述第一凹槽中填充无机散射颗粒； 接着对所述第N量子阱层进行平坦化处理； 接着在所述第N量子阱层上生长P型半导体层； 对所述P型半导体层进行图案化处理，以形成多个第二凹槽； 在多个所述第二凹槽中填充有机散射颗粒； 接着在所述P型半导体层上形成透明导电层。
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