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龙图腾网获悉深圳众诚达应用材料股份有限公司申请的专利RPD镀膜用氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120796920B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511334839.3，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权RPD镀膜用氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管是由周贤界;徐红星;卢晓鹏;关泽汉;刘杰;张志强;谢黎;黄勇彪设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本RPD镀膜用氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及靶材技术领域，提供一种RPD镀膜用氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管。靶材包括靶芯和围合在靶芯四周的靶套，靶芯由质量比为60~90:10~40的金属氧化物粗粉和金属氧化物细粉制成，靶套由金属氧化物细粉制成。靶芯中粗粉作为骨架，细粉填充骨架间隙并起到黏连作用，靶芯通过粗细粉搭配有效改善热障性能，避免靶材开裂。靶套由细粉制成，细粉比表面积更大，粉体间接触更紧密，在镀膜过程中靶套能更快升华或蒸发，确保靶材均匀升华或蒸发，解决边缘非晶残留问题。同时通过热压工艺获得亚微米级晶粒的靶材，通过RPD镀膜获得氧化物半导体薄膜，解决磁控溅射方式无法兼顾TFT器件高迁移率和高稳定性的问题。

本发明授权RPD镀膜用氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管在权利要求书中公布了：1.一种RPD镀膜用氧化物半导体靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 分别制备金属氧化物粗粉和金属氧化物细粉； 将所述金属氧化物粗粉和所述金属氧化物细粉填充在第一模具内，并将所述金属氧化物细粉填充在所述第一模具和第二模具之间，随后将所述第一模具抽出，再进行预成型处理，形成素坯； 将素坯脱脂后装入第三模具中进行热压烧结处理，得到RPD镀膜用氧化物半导体靶材； 其中，分别制备金属氧化物粗粉和金属氧化物细粉的步骤包括： 将晶粒度为50~200nm的第一金属氧化物粉和晶粒度为700~1000nm的第二金属氧化物粉配制成浆料，然后喷雾造粒，得到造粒粉；其中，所述第一金属氧化物粉和所述第二金属氧化物粉的质量比为10~30:70~90； 将所述造粒粉进行初次筛分处理，取处于26目和40目筛网目数区间的造粒粉作为所述金属氧化物粗粉； 将过40目筛的造粒粉进行二次筛分处理，取处于100目和200目筛网目数区间的造粒粉作为所述金属氧化物细粉； 所述RPD镀膜用氧化物半导体靶材为实心圆柱形结构，包括靶芯和围合在所述靶芯四周的靶套，所述靶芯由质量比为60~90:10~40的所述金属氧化物粗粉和所述金属氧化物细粉制成，所述靶套由所述金属氧化物细粉制成。

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