全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利离子注入的模拟方法、电子设备和计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120781584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511292187.1，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权离子注入的模拟方法、电子设备和计算机可读存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子注入的模拟方法、电子设备和计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了一种离子注入的模拟方法、电子设备和计算机可读存储介质。方法包括：利用待注入的器件的网格单元数据，确定与注入位置相对应的网格单元；基于所确定网格单元处的晶格常数，确定多个晶胞中的原子的位置，多个晶胞包括注入位置处的中心晶胞和中心晶胞周围的预定范围内的邻近晶胞，晶格常数与所确定网格单元处的多组分材料的元素组分相关；基于所确定网格单元处的多组分材料的元素组分，确定多个晶胞中的原子的类型；以及基于多个晶胞中的原子的位置和类型，生成在注入位置处进行离子注入的模拟结果。
本发明授权离子注入的模拟方法、电子设备和计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种对离子注入过程进行模拟的方法，包括： 利用待注入的器件的网格单元数据，确定与注入位置相对应的网格单元； 基于所确定网格单元处的晶格常数，确定多个晶胞中的原子的位置，所述多个晶胞包括所述注入位置处的中心晶胞和所述中心晶胞周围的预定范围内的邻近晶胞，所述晶格常数与所确定网格单元处的多组分材料的元素组分相关； 基于所确定网格单元处的多组分材料的元素组分，确定所述多个晶胞中的原子的类型；以及 基于所述多个晶胞中的原子的位置和类型，生成在所述注入位置处进行离子注入的模拟结果。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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