忱芯科技(上海)有限公司刘弘耀获国家专利权
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龙图腾网获悉忱芯科技(上海)有限公司申请的专利一种性能优化的被动DHTRB测试电路、方法及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120779201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511274656.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种性能优化的被动DHTRB测试电路、方法及产品是由刘弘耀;毛赛君;吴恒;尹远设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种性能优化的被动DHTRB测试电路、方法及产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种性能优化的被动DHTRB测试电路、方法和产品，其测试电路包括电源、第一陪测管S1、第二陪测管S2、被测器件DUT、正极过冲电路和负极过冲电路；电源正极接入正极过冲电路输入端，正极过冲电路输出端连接第一陪测管S1漏极，第一陪测管S1源级分别连接第二陪测管S2及被测器件DUT漏极，第二陪测管S2源级连接负极过冲电路输入端，负极过冲电路的输出端连接被测器件DUT源级，并接入电源负极；第一陪测管S1导通第二陪测管S2关断时，正极过冲电路对外输出正向过冲电压；第一陪测管S1关断第二陪测管S2导通时，负极过冲电路对外输出反向过冲电压。本申请能够提升被动DHTRB测试的dVdt性能。
本发明授权一种性能优化的被动DHTRB测试电路、方法及产品在权利要求书中公布了：1.一种性能优化的被动DHTRB测试电路，包括电源VDC、母线电容Cbus、第一陪测管S1、第二陪测管S2和被测器件DUT，其特征在于，还包括正极过冲电路和负极过冲电路； 所述第一陪测管S1、所述第二陪测管S2及所述被测器件DUT均为MOS管； 所述母线电容Cbus连接于所述电源VDC的两端，电源VDC的正极与所述正极过冲电路的输入端连接，正极过冲电路的输出端连接第一陪测管S1的漏极，第一陪测管S1的源级分别连接第二陪测管S2及被测器件DUT的漏极，第二陪测管S2的源级连接负极过冲电路的输入端，负极过冲电路的输出端连接被测器件DUT的源级，并接入电源VDC的负极； 第一陪测管S1导通，第二陪测管S2关断时，所述正极过冲电路对外输出正向过冲电压； 第一陪测管S1关断，第二陪测管S2导通时，所述负极过冲电路对外输出反向过冲电压。
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