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龙图腾网获悉杭州泽达半导体有限公司申请的专利一种激光芯片端面反射率监控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120778681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511273504.5，技术领域涉及：G01N21/55；该发明授权一种激光芯片端面反射率监控方法是由余铭;刘帅;长谷部浩一设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种激光芯片端面反射率监控方法在说明书摘要公布了：本发明为一种激光芯片端面反射率监控方法，涉及计算机处理技术领域，所述方法包括如下步骤：S01、获取待监控芯片端面，并输入至预设的微观区域划分模型，以得到关于所述激光芯片端面的多个微观区域，并记录每个微观区域的预设反射率标准值；S02、利用高精度反射率测量设备，获取每个所述微观区域的实际反射率测量值；S03、根据每个所述微观区域的实际反射率测量值与预设反射率标准值的对比，确定每个所述微观区域的反射率偏差情况，将包含反射率偏差情况的各微观区域信息整合为多区域反射率分布信息。该发明将网格化反射率空间分析与多源数据融合技术结合，实现了对芯片贴片覆盖范围的微米级精度监控。

本发明授权一种激光芯片端面反射率监控方法在权利要求书中公布了：1.一种激光芯片端面反射率监控方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： S01、获取待监控芯片端面，并输入至预设的微观区域划分模型，以得到关于所述激光芯片端面的多个微观区域，并记录每个微观区域的预设反射率标准值； S02、利用高精度反射率测量设备，获取每个所述微观区域的实际反射率测量值； S03、根据每个所述微观区域的实际反射率测量值与预设反射率标准值的对比，确定每个所述微观区域的反射率偏差情况，将包含反射率偏差情况的各微观区域信息整合为多区域反射率分布信息，所述预设反射率标准值为芯片设计时规定的各微观区域应达到的反射率数值； S04、根据所述多区域反射率分布信息和各工序节点对应的端面反射率实际检测信息，检测所述芯片端面在各工序节点是否存在反射率异常；若存在反射率异常，确定异常工序节点及异常类型； 其中，所述各工序节点对应的端面反射率实际检测信息的获取包括以下步骤： 在芯片制造的每个关键工序节点，获取芯片的位姿状态信息以及该位姿下端面的局部反射率检测数据； 依据芯片的位姿状态信息和局部反射率检测数据，结合预先建立的坐标转换模型，确定出每个所述关键工序节点端面在全局坐标系下的实际反射率分布信息； 将每个关键工序节点对应的实际反射率分布信息确定为端面反射率实际检测信息。

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