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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120769532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511285686.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法是由刘洋;李琦琦;刘哲儒设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底中形成有沟槽隔离结构；形成第一图形化的光刻胶层覆盖沟槽隔离结构和部分衬底，并以第一图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀去除部分衬底以形成凹槽，且刻蚀后凹槽的一侧与沟槽隔离结构之间具有凸起的部分衬底以作为柱体；对柱体和凹槽底部的衬底执行离子注入工艺；形成栅极多晶硅层填充凹槽；形成第二图形化的光刻胶层覆盖柱体、部分栅极多晶硅层和部分沟槽隔离结构，并以第二图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀去除部分栅极多晶硅层和部分沟槽隔离结构以暴露漏区的部分表面。本发明改善光罩中小尺寸的曝光问题，降低器件制备的工艺难度，利于小尺寸的半导体器件的制备。

本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有沟槽隔离结构； 形成第一图形化的光刻胶层覆盖所述沟槽隔离结构和部分所述衬底，所述第一图形化的光刻胶层中具有第一开口，并以所述第一图形化的光刻胶层为掩模，沿着所述第一开口刻蚀去除部分所述衬底以形成凹槽，且刻蚀后所述凹槽的一侧与所述沟槽隔离结构之间具有凸起的部分所述衬底以作为柱体； 去除所述第一图形化的光刻胶层，对所述柱体和所述凹槽底部的衬底执行离子注入工艺，以在所述柱体中形成源区和在所述凹槽底部的衬底中形成漏区； 形成栅极多晶硅层填充所述凹槽； 形成第二图形化的光刻胶层覆盖所述柱体、部分所述栅极多晶硅层和部分所述沟槽隔离结构，所述第二图形化的光刻胶层中具有第二开口，并以所述第二图形化的光刻胶层为掩模，沿着所述第二开口刻蚀去除部分所述栅极多晶硅层和部分所述沟槽隔离结构以暴露所述漏区的部分表面；以及， 去除所述第二图形化的光刻胶层，形成若干电连接件分别与所述源区、所述漏区和所述栅极多晶硅层电性连接。

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