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龙图腾网获悉成都兴仁科技有限公司申请的专利一种小型化频率合成器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511251559.6，技术领域涉及：H01P5/12；该发明授权一种小型化频率合成器及其制备方法是由鄢科;李镇设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种小型化频率合成器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种小型化频率合成器及其制备方法，通过搭建频率合成器的层级架构，从外围电路中筛选可埋设于陶瓷介质中的电容，利用电磁场强分布在陶瓷介质层中划分出埋容区，将筛选出的电容埋设在埋容区内，以及采用在布线区内布置信号线和电源线的方式对外围电路中的互连线进行分流，实现频率合成器小型化的同时降低电磁干扰。

本发明授权一种小型化频率合成器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种小型化频率合成器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 搭建频率合成器的层级架构；层级架构包括自上而下依次叠放的表层、布线层、第一陶瓷介质层和第一地层； 从频综芯片的外围电路中提取CNI值≥第一阈值的电容和使带宽变化量≥第二阈值的电容；将频综芯片和外围电路的剩余部分安装在表层； 生成以射频端口为中心的保护区；将保护区映射至第一陶瓷介质层，得到禁埋区；在第一陶瓷介质层中，获取禁埋区以外的其他区域的电磁场强分布，将电磁场强＜第三阈值的区域标记为埋容区； 将提取出的电容埋设在埋容区内，将电容的接地端连接至第一地层； 将第一陶瓷介质层的每个电容的轮廓映射至布线层，得到禁布区；将布线层中除禁布区以外的区域标记为布线区； 根据外围电路的原始电路结构、第一陶瓷介质层中电容的埋设位置和表层中器件的安装位置，在布线区内布置信号线和电源线；将信号线的一端向上引至表层后与对应的器件连接，将信号线的另一端向下引至第一陶瓷介质层后与对应的电容连接或向上引至表层后与对应的器件连接；将电源线的一端向上引入表层后与对应的器件连接，将电源线的另一端向下引入第一陶瓷介质层后与对应的电容连接或向上引至表层后与对应的器件连接； CNI值的量化公式为：；其中，d为电容与频综芯片的距离，fcutoff为电容的截止频率，C为容值； 外围电路包括：环路滤波电路、输入滤波电路、输出滤波电路和电源电路； 从外围电路中提取电容的方法为：分别对环路滤波电路、输入滤波电路、输出滤波电路和电源电路执行以下步骤： 利用CNI值的量化公式计算电路中每个电容的CNI值；提取出CNI值≥第一阈值的电容；对每个CNI值＜第一阈值的电容进行蒙特卡洛仿真，得到每个电容对应的带宽变化量，提取出使带宽变化量≥第二阈值的电容。

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