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龙图腾网获悉青岛本原微电子有限公司申请的专利一种FLASH烧录装置及烧录方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120762690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511276968.1，技术领域涉及：G06F8/61；该发明授权一种FLASH烧录装置及烧录方法是由张余超;吴亚男;张志远;王新刚设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种FLASH烧录装置及烧录方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种FLASH烧录装置及烧录方法，为烧录装置配置相关寄存器，CPU只需配置相关寄存器，包括要烧录的FLASH起始地址、要烧录的数据源地址、要烧录数据长度和烧录使能，也即通过配置寄存器来启动烧录进程，随后由读外部数据模块从总线获取预烧录数据，由烧录验证模块对预烧录数据进行验证，在验证通过后由数据烧录模块向FLASHIP自身的烧录模块发送预烧录数据和目标地址，使能FLASHIP的烧录模块将预烧录数据烧录到目标地址，然后更新数据源地址和目标地址执行下一次烧录，直至数据被自动烧录完成。本发明的烧录装置在执行烧录的整个过程无需CPU参与，烧录效率高且占用资源少。

本发明授权一种FLASH烧录装置及烧录方法在权利要求书中公布了：1.一种FLASH烧录装置，其特征在于，包括： 预留FADDR、FSRC_ADDR、FLEN、FCM、FPLEN寄存器；FADDR用于被写入要烧录的FLASH起始地址，FSRC_ADDR用于被写入要烧录的数据源地址，FLEN用于被写入要烧录数据个数，FCM用于被配置为烧录使能，FPLEN用于被写入已烧录数据个数； 烧录控制模块，被配置为：在FADDR、FSRC_ADDR、FLEN、FCM寄存器被写入数据后，调用读外部数据模块获取烧录数据，调用烧录校验模块校验是否可以烧录，在可以烧录时调用数据烧录模块将数据烧录到FLASHIP中；在烧录成功时，更新FPLEN寄存器记录已烧录数据数量；判断FPLEN寄存器中的值是否达到FLEN寄存器中的值，如果没有达到，将数据源地址和烧录目标地址均指向下一组数据，继续烧录流程； 读外部数据模块，被配置为：基于总线协议，向总线发送数据读请求，并从总线获取预烧录数据； 烧录验证模块，被配置为：从FLASHIP上读回当前数据，并对从总线读回的预烧录数据与从FLASHIP上读回的数据做异或运算，计算结果再与从总线读回的预烧录数据做与运算；如果计算结果值是非0值，不允许烧录；如果计算结果为0，允许烧录； 数据烧录模块，被配置为：向FLASHIP的烧录模块发送预烧录数据和地址，使能FLASHIP的烧录模块实施烧录。

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