杭州富芯半导体有限公司兰总金获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751723B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511266291.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法是由兰总金设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法、另一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法、一种用于屏蔽栅沟槽型功率器件的半导体结构及一种屏蔽栅沟槽型功率器件。一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法包括：提供形成有沟槽结构的半导体衬底；在沟槽表面形成第一氧化层；在第一氧化层表面形成复合层；复合层至少包括第一膜层和第二膜层；去除沟槽底部的部分第二膜层至暴露出第一膜层，在沟槽底部形成刻蚀窗口；通过刻蚀工艺，去除沟槽底部的第一膜层，并由底部向上刻蚀沟槽侧壁的第一膜层至设定高度；去除剩余的第二膜层；对沟槽侧壁去除第一膜层后的区域的设定位置进行离子注入。本申请能够精准调控沟槽底部的电场分布。
本发明授权一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽； 在所述沟槽表面形成第一氧化层； 在所述第一氧化层表面形成复合层；所述复合层至少包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的材质不同，所述第一膜层位于所述第一氧化层和所述第二膜层之间； 去除所述沟槽底部的部分第二膜层，至暴露出第一膜层，在所述沟槽底部形成刻蚀窗口； 通过刻蚀工艺，去除所述沟槽底部的第一膜层，并以剩余的第二膜层对第一膜层的侧壁进行保护，由底部向上刻蚀所述沟槽侧壁的第一膜层至设定高度； 去除剩余的所述第二膜层，以使沟槽侧壁的设定高度之下的第一氧化层暴露在沟槽中，并保持沟槽侧壁的设定高度之上的第一氧化层被第一膜层所覆盖； 对所述沟槽侧壁去除所述第一膜层后的区域的设定位置进行离子注入。
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