深圳市星汉激光科技股份有限公司周少丰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利一种集成量子点阵列的可调谐激光芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511241250.9，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种集成量子点阵列的可调谐激光芯片及制备方法是由周少丰;丁亮;吕天健;方子勋设计研发完成，并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成量子点阵列的可调谐激光芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成量子点阵列的可调谐激光芯片及制备方法，涉及激光芯片技术领域，该芯片包括衬底和生长于其上的半导体叠层结构，半导体叠层结构在横向上包含位于中央的核心发光通道以及与其一体化形成的梯度带隙缓冲保护层，该保护层通过低温选择性杂质离子注入和快速热退火技术，使得核心发光通道两侧的量子点和势垒材料发生原子相混合，形成一个能带宽度向外逐渐增大的连续单晶结构，该梯度结构可划分为带隙渐变过渡区和宽带隙混合区，通过这种内建结构，消除了传统刻蚀工艺引入的侧壁缺陷，显著抑制了漏电流并延长了芯片寿命，该梯度结构有效缓冲了由不同材料热膨胀系数差异所产生的机械应力，极大提升了芯片的热稳定性和抗电击穿能力。
本发明授权一种集成量子点阵列的可调谐激光芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成量子点阵列的可调谐激光芯片，其特征在于，所述可调谐激光芯片包括衬底1和生长于其上的半导体叠层结构2，所述半导体叠层结构2在横向上包含： 位于中央的核心发光通道3，其由保持原始外延结构的量子点和势垒材料构成； 及与所述核心发光通道3一体化形成的梯度带隙缓冲保护层4，其形成于所述核心发光通道3的两侧； 所述梯度带隙缓冲保护层4，是由所述量子点和势垒材料经原子相混合后形成的半导体合金区域，其能带宽度自紧邻所述核心发光通道3处向外逐渐增大，并与所述核心发光通道3之间形成一连续的单晶结构； 所述梯度带隙缓冲保护层4在横向上进一步划分为： 紧邻所述核心发光通道3的带隙渐变过渡区，该带隙渐变过渡区内量子点与势垒材料的相混合程度呈梯度分布； 及位于所述带隙渐变过渡区外侧的宽带隙混合区，该宽带隙混合区内量子点与势垒材料已完全相混合。
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