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龙图腾网获悉厦门紫光展锐科技有限公司申请的专利一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法、装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120743068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511246883.9，技术领域涉及：G06F1/20；该发明授权一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法、装置及电子设备是由廖佳伟设计研发完成，并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法、装置及电子设备在说明书摘要公布了：本发明属于高集成度SOC芯片领域，公开了一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法、装置及电子设备，包括：获取预先生成的DDR颗粒刷新率与温度的映射关系表；通过DDR驱动调用SOC芯片的DDR控制器，获取当前DDR颗粒刷新率；基于映射关系表中DDR颗粒刷新率与温度的映射关系，确定当前DDR颗粒刷新率对应的温度，作为DDR内存的第一温度；从SOC芯片中的温度传感器获取SOC芯片的第二温度；基于第一温度和第二温度，确定应采取的温度调控策略，并根据温度调控策略执行DDR内存与SOC芯片的整体温度调控操作。本发明有效降低DDR内存与SOC芯片的整体温度，进而降低DDR内存与SOC芯片的整体功耗。

本发明授权一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法、装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法，其特征在于，应用于在空间上将DDR内存与SOC芯片集成封装的电子设备，所述SOC芯片包括DDR控制器，所述方法包括： 获取预先生成的DDR颗粒刷新率与温度的映射关系表，其中，所述映射关系表的建立过程包括：在温控环境中，按照预设调整步长多次调整所述DDR内存的温度，且每次调整所述DDR内存的温度，通过温箱测量DDR内存的实际温度，并获取DDR颗粒的实际刷新率；将每个实际温度与所述实际温度对应的实际刷新率建立映射关系，得到DDR颗粒刷新率与温度的映射关系表； 通过DDR驱动周期性调用所述SOC芯片的DDR控制器接口，获取DDR内存的模式寄存器MR4刷新率信息，得到当前DDR颗粒刷新率； 基于所述映射关系表中DDR颗粒刷新率与温度的映射关系，确定所述当前DDR颗粒刷新率对应的温度，作为所述DDR内存的第一温度； 从所述SOC芯片中的温度传感器获取所述SOC芯片的第二温度； 基于所述第一温度和所述第二温度，确定应采取的温度调控策略，并根据所述温度调控策略执行所述DDR内存与SOC芯片的整体温度调控操作，包括： 如果所述第一温度与所述第二温度的温度和大于第一温度阈值，向所述SOC芯片的内部件发送第一温度调控指令，所述第一温度调控指令用于指示限制所述内部件的最高频率小于第一频率阈值，或者用于指示所述内部件执行拔核操作； 通过DDR驱动调用所述SOC芯片的DDR控制器，向所述DDR内存发送第二温度调控指令，所述第二温度调控指令用于控制所述DDR内存的最高频率小于第二频率阈值。

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