江西像航科技有限公司;像航(如东)科技有限公司;像航(上海)科技有限公司王侃获国家专利权
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龙图腾网获悉江西像航科技有限公司;像航(如东)科技有限公司;像航(上海)科技有限公司申请的专利基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件加工工艺以及无介质全息光学元件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120742472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511171454.X,技术领域涉及:G02B5/32;该发明授权基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件加工工艺以及无介质全息光学元件是由王侃;张兵;李俊设计研发完成,并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件加工工艺以及无介质全息光学元件在说明书摘要公布了:本发明公开了基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件加工工艺以及无介质全息光学元件,具体涉及无介质全息光学元件领域,所述光学元件依次包括以下三层结构:第一层结构为主导电层,由以下组分按质量份数比构成:还原型氧化石墨烯40份、银纳米线22份、聚乙烯醇复合分散剂12份、去离子水25份、界面稳定剂1份;第二层结构为界面缓冲膜,设置于所述主导电层与图样结构层之间。通过在导电层与图样结构层之间构建可控密度的断裂岛状界面缓冲结构,以在物理层级切断电势闭环耦合路径,从而抑制静电共振诱发的光学不稳定现象,解决现有技术中的导电层‑图样层间耦合场无法被结构阻断的问题。
本发明授权基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件加工工艺以及无介质全息光学元件在权利要求书中公布了:1.基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件,其特征在于,所述光学元件依次包括以下三层结构: 第一层结构为主导电层,由以下组分按质量份数比构成:还原型氧化石墨烯40份、银纳米线22份、聚乙烯醇复合分散剂12份、去离子水25份、界面稳定剂1份; 第二层结构为界面缓冲膜,设置于所述主导电层与图样结构层之间,由以下组分按质量份数比构成:镓80份、铟14份、锡3份、钨纳米颗粒1份、乙酸钠1份、三丁基膦1份; 第三层结构为图样结构层,由以下组分按质量份数比构成:氮化硅粉体80份、硼酸锂10份、钛酸钾6份、铅硼玻璃助熔剂4份; 所述主导电层经匀胶与热压复合,形成连续导电膜层,主导电层的表面电阻控制在120~180欧姆每平方范围内; 所述界面缓冲膜经终端抛光诱导冷凝,形成多个互不连接的断裂岛状结构区块,所述断裂岛状结构区块的边界处呈非连续分布状态,用于切断主导电层与下层图样结构之间的等势耦合; 所述图样结构层经喷雾干燥与烧结处理后构成亚波长图样编码基体,所述基体具备粗糙度Ra≤2nm的图样载面,通过离子束刻蚀形成周期结构。
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