买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉珠海宝丰堂半导体股份有限公司申请的专利一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120738630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511194841.5，技术领域涉及：C23C16/511；该发明授权一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置是由丁雪苗;赵公魄;赵芝强设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置在说明书摘要公布了：本发明涉及材料表面处理技术技术领域，且公开了一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置，包括等离子发生腔、PECVD工艺腔与微波磁控管，PECVD工艺腔连通在等离子发生腔的下方，微波磁控管设置在等离子发生腔的外侧，等离子发生腔的外侧设置有防溅散热组件；通过装置通过分层设计的等离子发生腔，保障了等离子体参数的稳定，铝合金外腔不仅提供稳固的机械支撑，还能快速导出内腔热量，避免了因温度过高导致的等离子体参数漂移；陶瓷材质的加工腔具有极强的耐等离子体腐蚀和溅射性能，从根源上防止金属颗粒污染，显著提升了薄膜纯度，此外，柔性石墨箔的设置，通过弹性变形吸收陶瓷加工腔与铝合金外腔的膨胀差。

本发明授权一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置在权利要求书中公布了：1.一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置，包括等离子发生腔11、PECVD工艺腔12与微波磁控管13，所述PECVD工艺腔12连通在等离子发生腔11的下方，所述微波磁控管13设置在等离子发生腔11的外侧，其特征在于，所述等离子发生腔11的外侧设置有防溅散热组件； 所述防溅散热组件包括有加工腔21，所述加工腔21设置在等离子发生腔11的内部，所述加工腔21的外侧套接有环形垫片22,等离子发生腔11的外侧套接有弧形块23，所述弧形块23的顶部固定连接有连接块25，所述连接块25的内部设置有降温管26，所述降温管26的外侧套接有增距环27，所述增距环27的外侧套接有密封块28，所述降温管26的外壁呈环状开设有倾斜孔29，所述降温管26的顶部卡接有阻气塞210； 所述防溅散热组件还包括有定位杆组24，所述定位杆组24固定连接在等离子发生腔11的外壁，且所述定位杆组24远离等离子发生腔11的一端共同固定连接在弧形块23上，所述连接块25远离弧形块23的一侧固定连接在等离子发生腔11的外壁上，所述连接块25的内部设置有气泵211； 所述防溅散热组件还包括有曲状管212，所述曲状管212设置在弧形块23的内部，所述曲状管212的内部设置有水冷管213，所述水冷管213的外壁套接有定位卡块组214，所述定位卡块组214的外壁固定连接在曲状管212上，所述曲状管212与降温管26的底部相连通； 所述弧形块23上设置有除凝露组件，所述除凝露组件包括有凝露收集腔31，所述凝露收集腔31固定连接在弧形块23靠近等离子发生腔11的一侧，所述凝露收集腔31的内部卡接有增速管32，所述增速管32的内部设置有增速块33，所述凝露收集腔31的底部开设有螺纹凹槽，且所述凝露收集腔31通过底部的螺纹凹槽螺纹连接有螺旋收集瓶34，且所述凝露收集腔31的内腔底部设置为倾斜状。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海宝丰堂半导体股份有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市金湾区红旗镇东成路118号2号厂房一至三层之一；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。