浙江大学陈正佳获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种SiC MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511188731.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种SiC MOSFET器件及其制作方法是由陈正佳;盛况;任娜;计满意设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SiCMOSFET器件及其制作方法，所述SiCMOSFET器件的元胞包括：N+SiC衬底、N‑漂移区、N+源区、P体区、P+区、栅介质层、栅极、场钝化层、源电极和漏电极，还包括：P底部区和空穴吸收区，高掺杂的P底部区抑制寄生晶体管开启。所述空穴吸收区为三段式结构设置，能够实现不大幅提高JFET区电阻的前提下，优化栅介质层附近的电势分布，进一步空穴吸收区之间互连减少局部空穴的积累，并为积累的空穴快速导出提供额外路径，进一步缓解单粒子效应，降低单粒子栅穿的发生概率。
本发明授权一种SiC MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET器件，所述SiCMOSFET器件的元胞包括：N+SiC衬底、N-漂移区、N+源区、P体区、P+区、栅介质层、栅极、场钝化层、源电极和漏电极，其特征在于，还包括： P底部区，所述P底部区位于所述P体区下方，为P型掺杂，所述P底部区的掺杂浓度大于所述P体区的掺杂浓度且小于所述P+区的掺杂浓度； 空穴吸收区，所述空穴吸收区为P型掺杂，呈柱状，位于所述SiCMOSFET器件的JFET区内并延伸至所述JFET区下方的N-漂移区内，所述空穴吸收区的宽度小于所述JFET区的宽度，所述空穴吸收区的顶部位于所述栅极下方，所述空穴吸收区的底部深度大于所述P底部区深度、小于所述P+区深度，其中，所述空穴吸收区包括第一吸收区、第二吸收区和第三吸收区，所述第一吸收区对应所述JFET区下方的N-漂移区，所述第二吸收区对应所述P底部区，所述第三吸收区对应所述P体区，且所述第一吸收区的掺杂浓度大于所述第三吸收区的掺杂浓度，所述第三吸收区的掺杂浓度大于所述第二吸收区的掺杂浓度。
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