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龙图腾网获悉成都铭科思微电子技术有限责任公司申请的专利一种超宽带小尺寸低插损可重构射频延时器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120729234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511240516.8，技术领域涉及：H03H11/26；该发明授权一种超宽带小尺寸低插损可重构射频延时器是由刘超;熊荣;隆锐设计研发完成，并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超宽带小尺寸低插损可重构射频延时器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超宽带小尺寸低插损可重构射频延时器，涉及延时器芯片技术领域，包括串联在一起的两个开关切换可调衰减单元和多个可调延时单元；第一开关切换可调衰减单元的输入端为射频输入端，第二开关切换可调衰减单元的输出端为射频输出端，多个可调延时单元串联在第一开关切换可调衰减单元和第二开关切换可调衰减单元之间；开关切换可调衰减单元采用MOS管开关阵列，MOS管开关阵列包括并联的n个宽度不同的MOS管，通过对MOS管开关阵列进行开关切换实现衰减量和阻抗的调节；可调延时单元采用T型Π型组合LC网络。本发明具有扩大工作频段、降低大延时的插损且缩小面积的优点。

本发明授权一种超宽带小尺寸低插损可重构射频延时器在权利要求书中公布了：1.一种超宽带小尺寸低插损可重构射频延时器，其特征在于，包括串联在一起的两个开关切换可调衰减单元和多个可调延时单元； 第一开关切换可调衰减单元的输入端为射频输入端，第二开关切换可调衰减单元的输出端为射频输出端，多个可调延时单元串联在第一开关切换可调衰减单元和第二开关切换可调衰减单元之间； 开关切换可调衰减单元采用MOS管开关阵列，MOS管开关阵列包括并联的n个宽度不同的MOS管，通过对MOS管开关阵列进行开关切换实现衰减量和阻抗的调节； 可调延时单元采用T型Π型组合LC网络； 所述T型Π型组合LC网络包括第三电感、第四电感、第五电感、第一可变电容、第二可变电容、第三可变电容、第四可变电容和第五可变电容； 第三电感的第一端接地，第三电感的第二端连接第一可变电容的第一端和第二可变电容的第一端，第一可变电容的第二端连接第三可变电容的第一端和第四电感的第一端且作为所述可调延时单元的输入端，第二可变电容的第二端连接第四可变电容的第一端和第五电感的第一端且作为所述可调延时单元的输出端，第三可变电容的第二端和第四可变电容的第二端接地，第五电感的第二端和第四电感的第二端连接第五可变电容的第一端，第五可变电容的第二端接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都铭科思微电子技术有限责任公司，其通讯地址为：610051 四川省成都市成华区崔家店路75号2栋1单元25层2501-2505号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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