合肥晶合集成电路股份有限公司张盖获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制作方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511156652.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件的制作方法及半导体器件是由张盖;张安;晏荣伟;张得亮;王雪;井壮设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制作方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的衬底，形成西格玛沟槽；在所述西格玛沟槽的底部和侧壁上形成缓冲层；在部分所述缓冲层上形成自对准阻挡层；刻蚀部分所述缓冲层和所述自对准阻挡层，形成凹槽；以及在所述凹槽内形成籽晶层。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法及半导体器件，能够有效扩充高应力籽晶层的生长空间，发挥籽晶层应力效应最大化，增加沟道迁移率，改善半导体器件性能。
本发明授权一种半导体器件的制作方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，在所述衬底上形成栅极结构； 刻蚀所述栅极结构两侧的衬底，形成西格玛沟槽；由所述衬底的表面至所述西格玛沟槽的底部，所述西格玛沟槽的侧面依次为上切面、下切面和底面，所述上切面和所述下切面通过交界面连接； 在所述西格玛沟槽的底部和侧壁上形成缓冲层； 在部分所述缓冲层上形成自对准阻挡层；所述自对准阻挡层为本征硅层，且通过择性外延生长法形成，所述自对准阻挡层在所述缓冲层的底面上生长； 刻蚀部分所述缓冲层和所述自对准阻挡层，形成凹槽；以及 在所述凹槽内形成籽晶层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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