军瓷电子材料河北有限公司刘庆锋获国家专利权
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龙图腾网获悉军瓷电子材料河北有限公司申请的专利一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120698801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511203141.8，技术领域涉及：C04B35/582；该发明授权一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法是由刘庆锋;刘佳乐;刘维华;张风云;杜鹏远;刘付朋设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及陶瓷材料技术领域，提出了一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法，低介电损耗氮化铝陶瓷基板，包括以下重量份组分的原料：氮化铝80~90份、烧结助剂6~8份、增韧剂3~5份、复合助剂3~4份、粘结剂6~10份、分散剂6~8份、溶剂60~70份；复合助剂包括三氧化二硼、氟化钙和碳酸锂。通过上述技术方案，解决了相关技术中氮化铝陶瓷基板介电损耗高的问题。
本发明授权一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板，其特征在于，包括以下重量份组分的原料：氮化铝80~90份、烧结助剂6~8份、增韧剂3~5份、复合助剂3~4份、粘结剂6~10份、分散剂6~8份、溶剂60~70份；所述复合助剂包括三氧化二硼、氟化钙和碳酸锂； 所述三氧化二硼、氟化钙和碳酸锂的质量比为1:1:4； 所述的一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤： S1、将所述原料混合，得到浆料； S2、所述浆料经流延成型，干燥，得到坯材； S3、所述坯材经排胶、烧结，得到低介电损耗氮化铝陶瓷基板； 所述排胶的工艺条件为：于真空条件下，以15℃min的升温速率升温至350℃排胶4h后，再于空气气氛下，以5℃min的升温速率升温至500℃排胶6h。
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