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龙图腾网获悉珠海妙存科技有限公司申请的专利Nand Flash的软解码方法、装置和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120670215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511188425.4，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权Nand Flash的软解码方法、装置和介质是由胡鸿源;贺乐;赖鼐设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本Nand Flash的软解码方法、装置和介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种NandFlash的软解码方法、装置和介质，涉及软解码技术领域。该方法包括：获取NandFlash的每个读参考电压预设的基准偏移阈值电压、以及获取NandFlash的每个读参考电压的每个阈值电压区间的目标偏移阈值电压；每个阈值电压区间对应不同的BinCode，NandFlash不同的读参考电压相同的BinCode的LLR值相同；根据基准偏移阈值电压，读取NandFlash的硬数据；根据目标偏移阈值电压，读取NandFlash的软数据；根据硬数据和软数据，进行LDPC软解码。该方法能够提高软解效率。

本发明授权Nand Flash的软解码方法、装置和介质在权利要求书中公布了：1.一种NandFlash的软解码方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取NandFlash的每个读参考电压预设的基准偏移阈值电压、以及获取所述NandFlash的每个所述读参考电压的每个阈值电压区间的目标偏移阈值电压；每个所述阈值电压区间对应不同的BinCode，所述目标偏移阈值电压用于使所述NandFlash不同的所述读参考电压相同的所述BinCode的LLR值相同； 根据所述基准偏移阈值电压，读取所述NandFlash的硬数据； 根据所述目标偏移阈值电压，读取所述NandFlash的软数据； 根据所述硬数据和所述软数据，进行LDPC软解码； 所述目标偏移阈值电压通过以下步骤获得： 获取不同BinCode的预设LLR值；每个所述BinCode对应一个所述阈值电压区间； 根据所述NandFlash的每个读参考电压的所有偏移阈值电压，读取所述NandFlash的原始数据； 根据所述原始数据，计算所述NandFlash在每个所述读参考电压的每个所述偏移阈值电压的实际LLR值； 根据每个所述读参考电压预设的所述基准偏移阈值电压、所述预设LLR值和所述实际LLR值，确定每个所述读参考电压的每个所述阈值电压区间对应的目标偏移阈值电压，使不同的所述读参考电压相同的所述BinCode的LLR值相同。

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