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龙图腾网获悉西安热工研究院有限公司;华能营口热电有限责任公司申请的专利基于半导体工艺的混合式感应接近传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120668186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511178898.6，技术领域涉及：G01D5/20；该发明授权基于半导体工艺的混合式感应接近传感器及其制造方法是由田爽;韦宣;李晓博;鹿守杭;商忠宝;郝德锋;唐策;叶宁;肖鹏;党显洋设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于半导体工艺的混合式感应接近传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种基于半导体工艺的混合式感应接近传感器及其制造方法，混合式感应接近传感器包括：平面感应线圈和电子芯片，平面感应线圈为通过光刻与电镀工艺在基板上形成的铜质线圈结构，平面感应线圈集成有多段同心环状子线圈，多段同心环状子线圈用于分段测量目标物体引起的磁场梯度变化；电子芯片集成有振荡器电路，振荡器电路包括具有串联正负温度系数电阻组合的电感支路、具有并联可调电阻的电容支路，以及动态调节延迟的比较器单元；混合式感应接近传感器的封装结构包括通过载板与电子芯片倒装互连的基板，表面覆盖保护层；混合式感应接近传感器的封装前处理包括焊盘微加工、气体保护回流焊及复合胶缓冲层。

本发明授权基于半导体工艺的混合式感应接近传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于半导体工艺的混合式感应接近传感器，其特征在于，包括：平面感应线圈和电子芯片， 所述平面感应线圈为通过光刻与电镀工艺在基板上形成的铜质线圈结构，所述平面感应线圈集成有多段同心环状子线圈，所述多段同心环状子线圈用于分段测量目标物体引起的磁场梯度变化，其中，所述平面感应线圈的线宽为20μm、间隙为5μm以及厚度为25μm，且所述多段同心环状子线圈包括内环、中环和外环子线圈，所述内环、所述中环和所述外环之间的线宽与间隙按1:1.5:2的比例递增，用于形成差异化的磁场敏感区域； 所述电子芯片集成有振荡器电路，所述振荡器电路包括具有串联正负温度系数电阻组合的电感支路、具有并联可调电阻的电容支路，以及动态调节延迟的比较器单元，其中，所述电感支路由线圈电阻、正温度系数电阻与负温度系数电阻串联构成；电容支路由可调电阻与两组分压电阻及并联组成，时间常数基于下式计算得到：其中，表示时间常数，表示电容支路中的电容值；所述正温度系数电阻的阻值为10Ω且电阻温度系数为0.18%℃，所述负温度系数电阻的阻值为8Ω且电阻温度系数为-0.13%℃，所述可调电阻的阻值为5kΩ，且所述振荡器电路通过所述电感支路和电容支路的时间常数温度特性匹配实现温度补偿，满足以下约束条件：其中，，；其中，表示线圈电感量，其中，表示电感支路时间常数温度变化率，表示电容支路时间常数温度变化率，、分别表示电感支路时间常数与电容支路时间常数；所述支路电压U最大值温度漂移一致通过下式实现：；式中，，，其中，、分别表示电感支路电压最大值与电容支路电压最大值；所述比较器单元通过调节偏置电流的温度特性，用于动态补偿振荡频率的残余温度漂移； 其中，所述混合式感应接近传感器的封装结构包括通过载板与所述电子芯片倒装互连的所述基板，所述混合式感应接近传感器的封装结构表面覆盖保护层；所述混合式感应接近传感器的封装前处理包括焊盘微加工、气体保护回流焊及复合胶缓冲层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安热工研究院有限公司;华能营口热电有限责任公司，其通讯地址为：710032 陕西省西安市碑林区兴庆路136号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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