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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823293B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110070488.5，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构的形成方法是由崔元钧设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括图形材料层；在图形材料层上形成多个沿第一方向延伸且在第二方向相间隔的第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜进行离子掺杂，形成多个间隔的掺杂层，剩余的图形材料层作为图形层；去除第一掩膜层；形成覆盖图形层且露出部分掺杂层的第二掩膜层；去除第二掩膜层露出的掺杂层，形成第一凹槽；去除第二掩膜层；去除图形层，形成第二凹槽。本发明实施例中，图形层上先后形成有第一掩膜层和第二掩膜层，图形层与有机材料层的接触时间较少，第一掩膜层和第二掩膜层中的C不易扩散到图形层中，去除图形层时，图形层不易存在残留，相应的第二凹槽的形貌质量较佳，有利于优化半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括：衬底、位于所述衬底上的衬底掩膜材料层以及位于所述衬底掩膜材料层上的图形材料层； 在所述图形材料层上形成多个沿第一方向延伸且在第二方向相间隔的第一掩膜层，所述第一方向和第二方向相垂直； 以所述第一掩膜层为掩膜对所述图形材料层进行离子掺杂，形成掺杂层，剩余的所述图形材料层作为图形层，所述图形层和掺杂层具有刻蚀选择比； 形成所述掺杂层后，去除所述第一掩膜层； 去除所述第一掩膜层后，形成覆盖所述图形层且露出部分所述掺杂层的第二掩膜层； 去除所述第二掩膜层露出的所述掺杂层，形成第一凹槽； 形成所述第一凹槽后，去除所述第二掩膜层； 去除所述第二掩膜层后，去除所述图形层，形成第二凹槽； 所述半导体结构的形成方法包括：去除所述图形层前，在所述第一凹槽的侧壁上形成侧墙层； 所述半导体结构的形成方法还包括：形成第二方向阻断所述第一凹槽的第一阻断层；形成第二方向阻断所述第二凹槽的第二阻断层；以所述第一阻断层、第二阻断层和侧墙层为掩膜刻蚀所述第一凹槽和第二凹槽露出的衬底掩膜材料层，形成衬底掩膜层；以第一阻断层、第二阻断层、侧墙层以及衬底掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，在所述衬底中形成开口。

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