中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司崔栽荣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种基于曝光区域的芯片封装处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743889B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110020462.X，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种基于曝光区域的芯片封装处理方法是由崔栽荣;贺晓彬;刘金彪;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于曝光区域的芯片封装处理方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于曝光区域的芯片封装处理方法，封装处理方法包括：先利用在先光刻工艺数据确定目标晶圆的各个曝光区域，目标晶圆可为一个或多个。以各个曝光区域作为当前工序的切割单位，对目标晶圆进行切割处理，将目标晶圆分割成多个器件单元。对于包含不良裸片的器件单元，则直接以裸片作为切割单位对器件单元进行切割处理后再进行接合。对合格的器件单元进行整体接合处理，再以裸片作为当前工序的切割单位，对经过接合处理后的器件单元再进行切割处理。本公开创新利用已知曝光区域作为首次切割晶圆的依据，在两次切割处理工序之间对合格的器件单元进行接合工序，能够提升半导体器件良率和提高封装效率，本公开工艺更简单，对准精度高。
本发明授权一种基于曝光区域的芯片封装处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基于曝光区域的芯片封装处理方法，其特征在于，包括： 对目标晶圆进行晶圆级测试，以得到所述目标晶圆上各个裸片的测试结果； 利用在先光刻工艺数据确定目标晶圆的各个曝光区域； 以所述曝光区域作为当前工序的切割单位，对所述目标晶圆进行切割处理，将所述目标晶圆分割成多个器件单元； 对合格的器件单元进行接合处理； 在对合格的器件单元进行接合处理过程中，依据所述各个裸片的测试结果选择合格器件单元进行接合，所述合格器件单元上的所有裸片的测试结果均符合设定条件； 以裸片作为当前工序的切割单位，对接合处理后的器件单元进行切割处理； 对于包含不良裸片的器件单元，直接以裸片作为切割单位对器件单元进行切割处理； 将切割下来的合格裸片进行接合处理。
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