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龙图腾网获悉安普林荷兰有限公司申请的专利射频功率封装和射频功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111551972.6，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权射频功率封装和射频功率器件是由陶国桥;诸毅;约翰内斯·A·M·德波特;迈克尔·阿塞斯设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频功率封装和射频功率器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种射频RF功率封装和RF功率器件。该RF功率器件包括此RF功率封装。更特别地，本发明涉及一种RF功率封装，其中ESD器件布置在封装主体或壳体内部。根据本发明，ESD器件提供在封装内部并且布置在RF功率封装的端子上。以此方式，能够更好地保护RF功率封装内的放大电路的ESD感测触点免受ESD损坏，即便是在RF功率封装时。

本发明授权射频功率封装和射频功率器件在权利要求书中公布了：1.一种射频RF功率封装1A-1G；100，包括： 封装主体110或壳体； 导电基底10，其至少部分布置在所述封装主体或壳体中； 半导体裸片30，其安装在所述导电基底上且布置在所述封装主体或壳体中，所述半导体裸片包括放大电路，所述放大电路具有用于输入或输出电信号的静电放电ESD感测触点； 多个端子20，其与所述导电基底物理分离，并且每个端子包括在所述封装主体或壳体外部提供的第一端子表面以及在所述封装主体或壳体内部提供的第二端子表面，其中，所述多个端子中的一端子构成RF端子RF1，RF2，所述RF端子配置用于输入待所述放大电路放大的信号或输出经所述放大电路放大的信号，所述RF端子通过RF端子连接线电连接至所述ESD感测触点； 其特征在于，所述RF功率封装还包括ESD器件60，所述ESD器件用于保护所述放大电路免受由静电放电引起的损坏，其中，所述ESD器件包括第一ESD触点61和第二ESD触点62，其中，所述多个端子中的一端子构成其上安装有所述ESD器件的安装MNT端子MNT； 其中，所述MNT端子是所述RF端子，并且其中，所述多个端子中的一端子构成接地GND端子GND，即在使用中电接地，其中，所述GND端子布置为邻近所述MNT端子，并且其中，所述第二ESD触点至少在使用时通过在所述第二ESD触点和所述GND端子之间延伸的键合线电接地，并且其中，所述第一ESD触点采用第一ESD连接线至少通过所述RF端子连接线的一部分电连接至所述ESD感测触点；或者 其中，所述MNT端子是邻近所述RF端子的端子，其中，所述第一ESD触点采用第一ESD连接线至少通过所述RF端子连接线的一部分以及对所述第一ESD触点和所述RF端子进行电连接的键合线电连接至所述ESD感测触点，并且其中，所述第二ESD触点至少在使用时电接地。

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