株式会社日立高新技术山田将贵获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利半导体制造装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114616659B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080010282.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体制造装置以及半导体装置的制造方法是由山田将贵设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供在包含SiO2而构成的膜的蚀刻中使处理的成品率提升的蚀刻装置或蚀刻方法。作为其手段而使用半导体制造装置，其具有：导入口，其对处理容器内部的处理室导入包含氟化氢以及醇各自的蒸汽的处理用的气体；样品台，其配置于所述处理室，在其上表面装载处理对象的晶片；和电极，其配置于所述样品台的内部，在对形成于所述晶片的所述上表面的第1膜进行蚀刻处理时，被施加在通过所述处理用的气体而形成于所述晶片的所述上表面上的第1层形成电场的直流电力。
本发明授权半导体制造装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造装置，其特征在于，具有： 处理容器； 导入口，其对所述处理容器内部的处理室导入包含氟化氢以及醇各自的蒸汽的处理用的气体； 样品台，其配置于所述处理室，在其的上表面装载处理对象的晶片；和 电极，其配置于所述样品台的内部，在不使用等离子而对形成于所述晶片的所述上表面的第1膜进行蚀刻处理时，被施加在通过所述处理用的气体而形成于所述晶片的所述上表面上的第1层形成电场的直流电力；和 第1控制部，其切换提供所述直流电力的电源所输出的电压的值或极性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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