买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利包含应变松弛结构的LED前体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114503290B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080063084.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权包含应变松弛结构的LED前体是由A·皮诺斯设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含应变松弛结构的LED前体在说明书摘要公布了：提供了一种发光二极管LightEmittingDiode，LED前体和一种形成LED前体的方法。LED前体包括第一半导体层和提供在第一半导体层的生长表面上的单片LED结构。第一半导体层包括III族‑氮化物。第一半导体层包括从第一半导体层的主表面延伸的台面结构以限定生长表面，生长表面包括主体半导体表面和台面表面。第一半导体层包括第一半导体子层和应变松弛子层，第一半导体子层包括具有第一面内晶格常数的III族‑氮化物。应变松弛子层包括跨第一半导体子层提供的III族‑氮化物，其中应变松弛子层提供台面结构的台面表面，使得台面表面具有第二面内晶格常数，第二面内晶格常数大于第一面内晶格常数。单片LED结构提供在第一半导体层的生长表面上，使得单片LED结构覆盖台面表面和主体半导体表面，其中单片LED结构包括多个III族‑氮化物层。单片LED结构具有提供在台面表面上的第一单片LED结构部分，和围绕第一单片LED结构部分并具有相对于台面表面倾斜的侧壁表面的第二单片LED结构部分。

本发明授权包含应变松弛结构的LED前体在权利要求书中公布了：1.一种形成发光二极管LED前体的方法，包括： a在衬底上形成第一半导体层，形成所述第一半导体层包括： 在所述衬底的表面上形成包括具有第一面内晶格常数的III族-氮化物的第一半导体子层；和 在所述第一半导体子层与所述衬底相反的一侧上在所述第一半导体子层上形成包括III族-氮化物的应变子层，其中在所述应变子层和所述第一半导体子层之间的界面处的所述应变子层处于压应变下，使得在所述界面处所述应变子层的面内晶格常数为所述第一面内晶格常数； b选择性地去除所述第一半导体层的一部分以暴露所述第一半导体层的主体半导体层表面使得所述第一半导体层限定从所述主体半导体层表面延伸的台面结构； c将所述应变子层加热至应变松弛温度，其中所述应变子层通过塑性变形松弛以形成应变松弛子层，其中所述台面结构具有由所述应变松弛子层的一部分形成的台面表面，所述台面表面具有第二面内晶格常数，所述第二面内晶格常数大于所述第一面内晶格常数； d在所述第一半导体层上形成单片LED结构使得所述单片LED结构覆盖所述台面表面和所述主体半导体表面，所述单片LED结构包括多个III族-氮化物层，所述单片LED结构具有： 第一单片LED结构部分，其提供在所述台面表面上方；和 第二单片LED结构部分，其环绕所述第一单片LED结构部分并且具有相对于所述台面表面倾斜的侧壁表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人普列斯半导体有限公司，其通讯地址为：英国德文郡；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。