买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利双向二极管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111629179.3，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权双向二极管结构及其制备方法是由施宜军;陈义强;贺致远;王宏跃;徐新兵;路国光;黄云设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本双向二极管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双向二极管结构及其制备方法。本发明的双向二极管结构包括：第一栅极结构；第二栅极结构，位于第一栅极结构的一侧，与第一栅极结构具有间距；阳极，位于第一栅极结构远离第二栅极结构的一侧，与第一栅极结构具有间距；阴极，位于第二栅极结构远离第一栅极结构的一侧，与第二栅极结构具有间距；第一电容，第一电容的第一极板与阳极相连接，第一电容的第二极板与第一栅极结构相连接；第二电容，第二电容的第一极板与阴极相连接，第二电容的第二极板与第二栅极结构相连接。本发明的双向二极管可以使ESD引起的累积静电电荷被有效地释放，避免ESD对器件结构的破坏，从而增强器件结构的ESD鲁棒性。

本发明授权双向二极管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双向二极管结构，其特征在于，所述双向二极管结构包括： 第一栅极结构； 第二栅极结构，位于所述第一栅极结构的一侧，与所述第一栅极结构具有间距； 阳极，位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧，与所述第一栅极结构具有间距； 阴极，位于所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧，与所述第二栅极结构具有间距； 第一电容，所述第一电容的第一极板与所述阳极相连接，所述第一电容的第二极板与所述第一栅极结构相连接； 第二电容，所述第二电容的第一极板与所述阴极相连接，所述第二电容的第二极板与所述第二栅极结构相连接； 所述双向二极管结构还包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的表面； 势垒层，位于所述外延层远离所述衬底的表面；所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述阳极、所述阴极及所述电容均位于所述势垒层远离所述外延层的表面； 所述双向二极管结构还包括： 浮空电极，所述浮空电极位于所述势垒层远离所述外延层的表面，且位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间，与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均具有间距。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。